[녹색경제신문 = 정창현 기자] 삼성전자가 글로벌 메모리·스토리지 행사인 FMS 2026에서 차세대 3D 메모리 아키텍처를 공개하며 AI 시대를 겨냥한 차세대 메모리 기술 비전을 제시했다. HBM 이후를 겨냥한 zHBM과 z낸드-O를 처음 선보인 데 이어 400단 이상 V10 BV-낸드도 공개하며 차세대 메모리 기술 경쟁력을 부각했다.

삼성전자는 4~6일(현지시간) 미국 캘리포니아주 산타클라라에서 열린 'FMS(Future of Memory and Storage) 2026'에 참가해 차세대 메모리 로드맵과 AI 반도체 전략을 공개했다고 밝혔다.

삼성전자는 약 20평 규모의 전시 공간을 마련하고 AI 클라우드 서버를 형상화한 부스를 구성했다. 전시관은 'Highlight', 'Cloud AI', 'Edge AI' 등 세 개의 존으로 꾸며졌으며 D램, 낸드, 스토리지 등 약 30개 제품을 통해 AI 메모리 기술과 고객 맞춤형 솔루션을 소개했다.

행사 첫날에는 이진엽 플래시개발실 부사장과 김경륜 D램개발실 상무가 'Driving the Wave of AI Revolution: 3D Innovations in Memory & Storage Architecture'를 주제로 기조연설을 진행했다. 두 연사는 AI 인프라 확대에 대응하기 위한 차세대 3D 메모리 기술 방향과 함께 업계 최초로 400단 이상의 V10 BV-낸드를 공개했다.

삼성전자는 이번 행사에서 차세대 3D 메모리 아키텍처인 zHBM과 z낸드-O의 목업(Mock-up)도 업계 최초로 공개했다.

zHBM은 AI 가속기 옆에 HBM을 배치하는 기존 방식에서 나아가 AI 가속기 상단에 HBM을 수직 적층하는 구조다. 메모리와 AI 가속기 간 데이터 이동 거리를 최소화해 대역폭과 전력효율을 높이고 대규모 AI 모델 학습과 추론 성능을 극대화하는 것이 특징이다.

삼성전자에 따르면 zHBM이 적용된 차세대 인터페이스 시스템은 HBM5 대비 최대 8배 높은 성능을 제공한다. 전력효율은 최대 3배 향상되고 열 저항은 절반 이상 감소한다.

또 메모리와 AI 가속기 사이 인터레이어에 고객 맞춤형 IP를 적용할 수 있어 메모리 용량 확대와 가속기 성능 향상 등 다양한 고객 요구에 맞춘 설계가 가능하다.

함께 공개된 z낸드-O는 TSV 기술을 활용해 4단 또는 8단 낸드 칩을 3D 패키징한 차세대 고성능 낸드 솔루션이다. 제품명 '-O'는 온디바이스 AI에 최적화된 제품이라는 의미로, 높은 공간 효율과 빠른 데이터 처리 성능을 제공한다.

아울러 삼성전자는 업계 최초로 400단 이상 적층 구조를 적용한 10세대 V-낸드 'V10 BV-낸드'도 공개했다.

V10 BV-낸드는 웨이퍼 본딩과 3 Stack 기술을 적용해 400단 이상의 초고적층 구조를 구현했다. 메모리 집적도는 전 세대(V9) 대비 약 58% 높였으며 읽기·쓰기 성능과 I/O 속도도 개선해 AI 데이터센터와 고성능 스토리지 시장을 겨냥했다.

이와 함께 HBM4E, HBM5, LPDDR5X-PIM, PM1763, BM1773 등 AI 데이터센터와 고성능 컴퓨팅(HPC)에 최적화된 메모리 및 스토리지 제품도 함께 전시했다.

특히 HBM5는 신규 열관리 기술인 HPB(Heat Path Block)를 적용한 목업 형태로 공개됐으며, HBM4E가 적용된 차세대 AI 플랫폼과 웨이퍼도 함께 소개됐다.

삼성전자는 이번 전시에서 메모리뿐 아니라 로직, 파운드리, 첨단 패키징까지 아우르는 '원스톱 솔루션' 전략을 강조한다. 제품 설계 단계부터 양산까지 통합 서비스를 제공해 고객의 개발 기간을 단축하고 성능과 전력효율을 최적화하는 AI 반도체 생태계를 구축하겠다는 구상이다.

삼성전자는 “앞으로도 차세대 메모리 기술 혁신과 메모리, 파운드리, 첨단 패키징을 아우르는 차별화된 솔루션을 통해 AI시대의 반도체 기술 리더십을 지속 강화해 나갈 계획”이라고 밝혔다.