[녹색경제신문 = 문슬예 기자] 삼성전자가 차세대 고대역폭메모리(HBM)인 HBM4 제품을 2월부터 주요 고객사에 출하한다. 고객사 평가를 완료한 뒤 물량 배정이 이뤄진 제품을 본격 공급하는 단계로, 사실상 HBM4의 대량 양산 및 초기 공급을 공식화한 것으로 해석된다. 

29일 삼성전자는 실적발표 컨퍼런스콜에서 HBM4가 주요 고객사의 성능 평가(SiP)를 마치고 오는 2월부터 11.7Gbps급 속도의 최상위 성능 제품을 포함해 양산 출하에 들어간다고 밝혔다. 

삼성전자는 “현재 HBM4 제품을 양산 투입해 생산을 진행 중이며, 주요 고객사의 요청에 따라 2월부터 11.7Gbps 제품을 포함한 HBM4 물량의 출하가 예정돼 있다”고 밝혔다. 또한 “지난해 샘플을 공급한 이후 순조롭게 고객 평가가 진행돼 현재 퀄 완료 단계”라고 강조했다. 

HBM4 제품의 11.7Gbps I/O 속도는 JEDEC(국제반도체표준화기구) 기준을 상회하는 사양으로, 엔비디아가 요구한 HBM4의 성능 조건을 충족하는 제품이다. 출하 제품의 속도를 명시하며 삼성전자가 엔비디아향 HBM4 공급을 공식화한 것으로 풀이된다. 

특히 삼성전자가 밝힌 HBM4의 ‘양산 출하’는 샘플 공급을 포함한 소규모 양산과는 구분된다. HBM은 범용 D램과 달리 고객사별로 성능·전력·패키징 조건이 달라 사전 검증과 물량 협의가 필수적인 제품으로, ES(Engineering Sample), CS(Customer Sample) 등 단계별 양산이 순차적으로 진행된다.

이번 출하는 이러한 검증·협의 단계의 소규모 양산을 넘어 고객사에 실제로 대량 공급되는 상업용 양산 단계에 진입했음을 의미한다. 삼성전자가 HBM4의 기술 검증과 물량 협의를 마무리하고, 매출 인식과 직결되는 확정 수주 물량을 기반으로 본격적인 공급 국면에 들어갔다는 관측이다.

또한 삼성전자는 차세대 패키징 기술인 ‘하이브리드 본딩’ 기반 HBM4 샘플을 이미 고객사에 공급했다고 밝혔다. 후속 제품인 HBM4E부터 하이브리드 본딩을 적용한 제품의 사업화를 계획하고 있다는 입장이다. 7세대 관련 HBM 공정 셋팅에도 이미 돌입했다는 이야기다. 

삼성전자는 “차세대 적층 기술인 하이브리드 커퍼 본딩(HCB)과 관련해 이미 HBM4 기반 샘플을 지난 분기 주요 고객사에 전달해 기술 협의를 시작했다”며 “HBM4E 단계에서 일부 사업화를 계획하고 있다”고 밝혔다. 

삼성전자가 차세대 HBM 기술 주도권 확보를 위해 패키징 기술 전환을 선제적으로 시도하고 있는 것으로 파악된다. 하이브리드 본딩은 솔더 범프 대신 구리(Copper)끼리 직접 접합하는 방식으로, 칩 간 연결 거리를 줄여 신호 지연과 전력 손실을 낮출 수 있는 차세대 적층 기술이다.

업계에서는 HBM 세대가 진행될수록 적층 수 증가와 인터페이스 미세화에 따라 발열과 전력 밀도가 높아져 기존 TC 본더 기반 패키징으로는 수율과 신뢰성 확보에 한계가 있다고 본다. 이에 따라 HBM4E나 HBM5 부터는 하이브리드 본딩 전환이 사실상 불가피하다는 판단이다.

한편, 같은 날 실적발표 컨퍼런스콜을 진행한 SK하이닉스는 하이브리드 본딩과 관련한 구체적 언급은 하지 않았다. SK하이닉스는 HBM4의 경우 고객과 협의한 일정에 맞춰 이미 양산 단계에 진입해 생산이 진행되고 있다는 점을 강조했다.