[녹색경제신문 = 문슬예 기자] 27일 업계에 따르면 삼성전자와 SK하이닉스가 엔비디아가 제시한 차세대 고대역폭메모리(HBM4)의 성능 기준을 충족한 제품을 개발한 것으로 관측된다. 양사는 SEDEX 2025에서 HBM4 실물을 최초로 공개하며, I/O 속도 10Gbps 이상을 구현한 제품을 전시했다.

최근 서울 코엑스에서 열린 ‘제27회 반도체대전(SEDEX 2025)’에서 SK하이닉스와 삼성전자는 나란히 HBM4 전시 부스를 마련했다. 양 사의 제품 모두 엔비디아가 차세대 AI 칩 ‘루빈’에 탑재할 HBM4의 핀당 I/O 속도 10Gbps 요구를 충족하며, 공급망 진입 경쟁이 본격화됐다는 평가다.

SK하이닉스는 전시 첫날(22일)에는 HBM4의 스펙을 ▲I/O 속도 8.0Gbps ▲대역폭 2.0TB/s로 표기했다가, 마지막 날(24일) 10.0Gbps 이상(+), 2.6TB/s 이상(+) 으로 수정했다. 

SK하이닉스 측은 “처음에는 JEDEC(국제반도체표준협의기구) 표준 수치를 인용했지만, 실제 성능 기준에 맞춰 변경했다”고 설명했다. 정확한 수치는 기밀 유지로 공개하지 않았으나, 전시에 명시된 수치는 보수적으로 작성된 수준으로 알려졌다.

삼성전자의 HBM4는 최대 11Gbps I/O 속도와 최대 2.8TB/s 대역폭을 지원하는 것으로 공개됐다. 삼성전자에 따르면 제품의 구동 환경이 우수할 경우 해당 수치 달성이 가능하다. 

이에 업계에서는 양 사 모두 엔비디아의 요구 조건을 충족하며 차세대 HBM 공급망 확보 경쟁이 더욱 치열해질 것으로 보고 있다.

앞서 SEDEX 2025 전시에서 SK하이닉스는 부스 한가운데 별도의 전시 구획 공간을 마련하고, GPU 옆에 부착된 HBM4 모형을 대형 크기로 선보였다. GPU와의 결합 구조를 보이며 HBM4의 AI 가속기 성능을 강조한 것으로 풀이된다.

반면 삼성전자는 HBM3E와 HBM4를 나란히 배치해 세대별 성능 진화를 보여주는 전시 전략을 택했다. 모형으로는 HBM4 8개가 프로세서 주변을 감싸고 있는 구조와 모듈 하단에 인터포저(Interposer)가 위치하는 형태를 전시하며 패키징 완성도를 부각했다.

양 사 모두 12단 36GB 구성의 샘플을 전시했으며, 향후 16단, 48GB 제품으로 확장할 것으로 관측된다. 또한 HBM4에 삼성전자는 1c(6세대) D램, SK하이닉스는 1b(5세대) D램 공정을 각각 적용해 기술 경쟁을 이어가고 있다.

LS증권 차용호 애널리스트는 한미반도체 분석 보고서에서 “엔비디아가 공급업체들에 요구하는 핀당 속도를 8Gbps에서 10Gbps로 상향 조정했다”며 "이러한 사양 조정으로 인해 HBM4 램프 업 시점이 지연되면서 HBM 공급업체들의 장비 발주 시점도 연기됐다"고 말했다.

이어 "주요 고객사(삼성, 하이닉스)는 내년 1분기부터 본격적으로 HBM4 장비 발주를 시작할 예정”이라고 덧붙였다.