김춘환 SK하이닉스 부사장이 반도체 기술력 향상에 기여한 공을 인정받아 은탑산업훈장 수상했다. 1992년 SK하이닉스에 입사한 김 부사장은 HBM(고대역폭메모리)의 핵심인 TSV(Through Silicon Via) 요소기술을 개발하는 데 크게 기여해 SK하이닉스의 HBM 기틀을 닦은 것으로 평가받는다.

(*TSV기술 : 반도체 칩에 미세한 구멍을 뚫어 상·하단 칩을 전극으로 연결하고 적층하여 고용량, 고대역폭을 구현하는 기술. 메모리칩을 적층해 대용량을 구현하는 기술로 HBM을 고층으로 적층하는 핵심 기술이다.)

2일 하이닉스는 김춘환 SK하이닉스 R&D공정 담당 부사장이 지난달 27일 서울 삼성동 코엑스에서 열린 ‘2024 산업기술 R&D 종합대전’에서 산업기술진흥(기술개발 부문) 유공자로 선정돼 은탑산업훈장을 받았다고 밝혔다.

김 부사장은 D램과 낸드 플래시를 아우르며 국내 반도체 기술력 향상에 기여한 공을 인정받아 이 부문에서 은탑산업훈장을 수상했다.

김 부사장은 “요소기술을 원천으로 수익성 높은 고성능 제품을 성공적으로 양산한 공적을 인정받았다”며 “이는 모든 구성원의 헌신과 노력으로 맺은 결실”이라고 소감을 밝혔다.

(*요소기술: 반도체의 설계, 제조, 패키징, 테스트 등 핵심 공정을 구현하는 데 필요한 기초 기술.)

이어 그는 “함께 한 구성원 모두에게 감사 인사를 전하며 앞으로 더 많은 분에게 수상의 기회가 돌아가길 기대한다”고 덧붙였다.

1992년 SK하이닉스에 입사한 김춘환 부사장은 32년간 메모리 반도체 연구에 매진하며 첨단기술 개발을 이끈 주역이다. 특히 그는 HBM의 핵심인 TSV(Through Silicon Via) 요소기술을 개발하는 데 크게 기여했는데,개발 선행 단계부터 참여해 15년간 연구를 이어오며, HBM 공정의 기틀을 마련한 것으로 평가받는다.

김 부사장의 성취는 TSV에 그치지 않는다. 그는 10나노급 5세대(1b) D램 미세 공정에 EUV* 장비를 도입해 업계 최고 수준의 생산성과 원가 경쟁력을 확보했고 이를 6세대(1c) D램에도 확대 적용했다. 또, 그는 HKMG 기술을 D램에 적용해 메모리 성능·효율을 높이는 등 선단기술에서 눈에 띄는 성과를 냈다.

(*EUV: 짧은 파장의 빛, 극자외선을 이용하는 리소그래피 기술. 웨이퍼에 회로 패턴을 새기는 장비에 사용.)

김 부사장은 지금까지의 성과에 도전정신과 원팀의 중요성이 컸다고 강조했다.

김 부사장은 “R&D 조직은 도전 정신을 바탕으로 한계를 정면으로 돌파하며 원가 경쟁력을 갖춘 기술을 개발하고 있고, 여기에 원팀 문화가 더해지며 시너지 효과가 창출됐다”라고 언급했다.

특히, “수많은 조직이 참여해 전사 기술 방향을 논의하는 등 견고한 협업 체계가 기술 리더십을 확보하는 데 큰 힘이 됐다”라고 설명했다.

김 부사장은 앞으로도 실패를 두려워하지 말고 도전해야 한다고 힘주어 말했다.

그는 “신규 요소기술 정의부터 기술 개발 착수, 안정적 제품 양산까지 전 과정에서 조직이 하나되어야만 목표를 달성할 수 있다”면서 “요소기술을 적기에 개발하려면 실패를 두려워하지 말고 지속해서 도전하고 시도해야 한다”라고 했다.

[녹색경제신문 = 조아라 기자]