이재용 삼성전자 부회장이 2020년 첫 경영 행보로 반도체 개발 현장을 택했다. 

삼성전자는 이 부회장이 화성사업장 내에 있는 반도체연구소를 찾아 삼성전자가 세계 최초로 개발한 3나노 공정기술을 보고 받고, DS부문 사장단과 함께 차세대 반도체 전략을 논의했다고 2일 밝혔다.

이 부회장이 새해 첫 경영 행보로 '반도체 개발 현장'에서 시작한 것은 메모리에 이어 시스템 반도체 분야에서도 세계 1위가 되겠다는 비전을 다시 강조한 것으로 풀이된다.

삼성전자가 개발한 3나노 반도체에는 반도체 미세화의 한계를 극복할 수 있는 차세대 기술인 'GAA(Gate-All-Around)'가 적용됐다. 최근 공정 개발을 완료한 5나노 제품에 비해 칩 면적을 약 35% 이상 줄일 수 있다. 소비전력을 50% 감소시키면서 성능(처리속도)은 약 30% 향상시킬 수 있다.

이 부회장은 이날 현장을 찾아 "과거의 실적이 미래의 성공을 보장해주지 않는다. 역사는 기다리는 것이 아니라 만들어가는 것"이라켜 "잘못된 관행과 사고는 과감히 폐기하고 새로운 미래를 개척해 나가자"고 당부했다.

이어 "우리 이웃, 우리 사회와 같이 나누고 함께 성장하는 것이 우리의 사명이자 100년 기업에 이르는 길임을 명심하자"고 강조했다.

한편, 이 부회장이 방문한 반도체 화성사업장은 지난해 말(31일) 정전 사고가 있던 곳이다. 정전은 1~2분 뒤 곧바로 복구됐지만, 삼성전자 화성캠퍼스에서 생산하는 D램과 낸드플래시 등 반도체 라인에 차질이 빚어졌다.