[녹색경제신문 = 우연주 기자] 美 하버드대학교(이하 하버드대)가 삼성전자를 특허 침해로 소송을 제기한 가운데 하버드대 주장의 근거가 부족하다는 관측이 나왔다. 이미 광범위하게 사용되고 있는 기술과 재료를 문제시 삼은 데다 소장(訴狀)에 첨부된 자료가 충분한 근거가 될 수 없다는 의견도 가능할 것으로 보인다.

소장에서 하버드대는 삼성전자가 두 개의 특허를 침해했다고 주장했다. 그 중 첫 번째는 스냅드래곤 8 칩의 구리 배선 주변에 있는 코발트 층에 관한 것이다.

하버드대는 소장에 "스냅드래곤 8 칩의 금속 배선은 CVD(화학기상증착법)로 형성된 금속 레이어를 포함하고 있고, 이 중에는 코발트 레이어도 있다. 코발트 레이어를 만들기 위해서는 전구물질(precursor)을 사용해야 하는데, 삼성이 CVD 과정 중 사용한 코발트 아미디네이트(amidinate)는 하버드대 특허에서 배울 수 있는 내용"이라고 썼다.

문제는 CVD와 코발트 사용이 특이할 것이 없다는 점이다.

반도체공학과 교수 A씨는 "CVD 기술도 코발트 사용도 상당히 상용화된 방법이다. 특이할 사항이 워낙 없어 논문이나 특허를 내기에도 부적절할 것 같다"고 말했다.

반도체 공정에서 코발트와 CVD 사용에 관한 특허도 흔하다.

삼성전자의 1995년 특허에도 코발트와 CVD가 언급될 정도다.

1995년 4월에 출판된(published) 삼성전자 특허에는 "코발트로 만들어진 중간레이어가 저항층과의 접촉을 방지할 수 있다. 레이어들은 스퍼터링(물리적 진공증착법의 일종)이나 CVD 방식으로 만든다"고 돼 있다.

설령 하버드대가 전구물질 사용을 문제삼는다 해도 소장에 관련 근거가 부족하다는 주장도 가능할 것으로 보인다.

소장에는 "삼성전자가 제조한 스냅드래곤 8 칩의 분해도에는 M1 레이어에서 코발트 층이 발견된다"고 돼 있다. 최종 결과물인 코발트만 발견됐을 뿐, 전구물질에 관한 근거는 소장에 없다.

전구물질의 사용은 증명이 어려울 것이라는 의견도 나왔다.

A씨는 "전구물질은 리액터에서 반응한 뒤 코발트만 남기고 사라진다. 결정구조가 전구물질에 따라 달라질 수 있는데, 전구물질에 따른 헥사곤 구조를 증명할 수 있을까"며 의구심을 표했다.

반도체 업계에 오래 종사한 B씨도 "만약 아주 특수한 공정을 써서 특별한 구조물 안에 코발트가 남아있다면 모를까, 전구물질의 사용은 증명이 힘들 것"이라고 말했다.

B씨는 "원래 공정에 관한 분쟁은 쉽지 않다. 구조에 관한 특허 분쟁이라면 구조가 보이니 쉬운데, 제조 공정은 '과정'인데 이를 외부에서 알기는 어렵다"고 덧붙였다.

하버드대 주장 중 첫 번째는 US7,973,189 특허에 근거를 두고 있다. 

해당 특허는 2011년 7월 출판된 것으로, '구리 배선을 위한 코발트 나이트레이드 레이어와 그 제조 방법'이 제목이다. 요약문에 따르면 특허의 주요 내용은 "구리 배선과 주변 물질을 잘 붙여주고 구리의 확산(diffusion)을 방지하는 장벽을 위해 저렴한 코발트 질화물(nitride)를 깔고 그 위에 구리로 이뤄진 전도층을 두는 것"이다.