SK하이닉스가 업계 최초로 300단 이상 낸드 플래시 메모리 개발에 성공했다.

8일(현지시간) SK하이닉스는 미국 산타클라라에서 개막한 ‘플래시 메모리 서밋(FMS) 2023’에서 321단 1Tb 4D 낸드플래시 개발 경과를 발표하고 샘플을 전시했다.

(*플래시 메모리 서밋,FMS: 매년 미국 캘리포니아 주 산타클라라에서 열리는 낸드플래시 업계 세계 최대 규모 컨퍼런스)

메모리 업계에서 300단 이상 낸드의 구체적인 개발 경과를 공개한 것은 SK하이닉스가 처음이다. SK하이닉스는 공개한 제품의 완성도를 높여 2025년 상반기부터 양산하겠다는 계획이다.

SK하이닉스 관계자는 "양산중인 현존 최고층 238단 낸드를 통해 축적한 기술력을 바탕으로 321단 낸드 개발을 순조롭게 진행하고 있다"면서, "적층 한계를 다시 한번 돌파해 300단대 낸드 시대를 열고 시장을 주도하겠다“고 밝혔다.

낸드플래시의 경우 한 개의 셀에 몇 개의 정보(비트 단위)를 저장하느냐에 따라 SLC(Single Level Cell, 1개)-MLC(Multi Level Cell, 2개)-TLC(Triple Level Cell, 3개) 등으로 규격이 나뉜다. 정보 저장량이 늘어날수록 같은 면적에 더 많은 데이터의 저장이 가능하다.

이번에 SK하이닉스가 공개한 321단 1Tb 4D 낸드플래시의 경우 TLC(Triple Level Cell)형태에 해당한다. 이전 세대인 238단 512Gb 대비 생산성이 59% 높아졌다. 데이터를 저장하는 셀을 더 높은 단수로 적층, 한 개의 칩으로 더 큰 용량을 구현할 수 있어 웨이퍼 한 장에서 생산할 수 있는 전체 용량이 늘었기 때문이다.

한편, 이날 자리에서 SK하이닉스는 생성형 AI발 고성능, 고용량 메모리 수요의 폭증에 대응하기 위한 낸드 솔루션 제품도 같이 선보였다.

SK하이닉스는 차세대 낸드 솔루션 제품인 PCIe 5세대(Gen5) 인터페이스를 적용한 기업용 SSD(Enterprise SSD, eSSD)와 UFS 4.0을 공개하며, 다음 세대인 PCIe 6세대와 UFS 5.0 개발에 착수했다고 밝혔다.